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Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co., Ltd.

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Diode laser à largeur de raie étroite pour l'imagerie numérique
  • Diode laser à largeur de raie étroite pour l'imagerie numérique

Diode laser à largeur de raie étroite pour l'imagerie numérique

    Type de paiement: T/T,Western Union
    Incoterm: FOB
    Quantité de commande minimum: 1 Bag/Bags
    Délai de livraison: 28 jours

Informations de base

Modèle: MDL-E-785/808

Expected Lifetime (hours): 10000

Warranty: 1 Year

Polarization Ratio: >50:1/(>100:1) Horizontal/ Vertical

Operating Temperature (℃): 20~30

Beam Divergence, Full Angle (mrad): <1

Power Stability (rms, Over 4 Hours): 1-3% Optional

Beam Diameter At The Aperture: 2.0/3.0

Wavelength (nm): 785/808

Output Power (mW): 1-20

M 2 Factor: <1.5

Additional Info

Détails d'emballage: Sachet et carton en plastique libres statiques, emballage protecteur

productivité: 500

marque: CNI

transport: Air

Lieu d'origine: Chine (continentale)

Capacité d'approvisionnement: 500

Certificats : ISO9001 FDA CE Rohs

Code SH: 9013200099

Hafen: Beijing,Shenzhen,Xiangggang

Description du produit

Description du produit

Pour diverses applications telles que la spectroscopie laser, la métrologie optique, les capteurs optiques et l'holographie, il est nécessaire d'utiliser des lasers émettant de la lumière avec une largeur de raie très étroite, c'est-à-dire avec une cohérence temporelle élevée. . Dans les cas extrêmes, les valeurs de largeur de raie sous-Hertz sont obtenues

Le laser à diode à largeur de trait étroite pour l'imagerie numérique est compact, à largeur de trait ultra-étroite, entièrement automatisé, à faible bruit et largement paramétrable.

Les lasers CNI offrent d’autres lasers à largeur de raie étroite: Laser en mode longitudinal unique (largeur de raie <0,00001 nm) / Laser DFB (largeur de raie <3 MHz). Le laser fonctionne en mode TEM00 avec une dimension ultra compacte et une grande stabilité.

Modle                                                                                   MDL-E-785                                                              MDL-E-808                                                          
Central wavelength (nm)
785±0.5 808±0.5
Operating mode
CW
Output power (mW)
>1, 2, 3, -,20
Power stability (rms, over 4 hours)
<1%, <2%, <3%
Transverse mode
Near TEM00
Spectral linewidth (nm)
<0.06 (<0.03, optional)
M 2 factor
<1.5
Beam diameter at the aperture (1/e2 ,mm)
~2.0
~3.0
Beam divergence, full angle (mrad)
<1.0
<1.5
Polarization ratio
>50:1 (>100:1, optional) Horizontal±5 degree (Vertical Optional)
Warm-up time (minutes)
<5
Beam height from base plate (mm)
30
Operating temperature (℃)
20~30
Power supply (85-264VAC)
PSU-III-FDA
Expected lifetime (hours)
10000
Warranty
1 year

Caractéristiques des lasers de la série MDL-E:

Digital ImagingDigital Imaging

Stabilité de la puissance de sortie à long terme Stabilité de la largeur de raie / longueur d'onde à long terme

Digital ImagingDigital ImagingDigital Imaging

Mesure du spectre Mesure M 2 <1. 5 Profil de faisceau de sortie de fibre SM

Caractéristiques

MDL-E-785/808 PSU-III-FDA

Digital Imaging

122.5(L) ×65(W) ×50 (H) mm3,  1.0kg


Digital Imaging

171(L) ×130(W) ×62.2 (H) mm3,  1.2kg

Certifications
Digital Imaging


Informations sur la société

Changchun New Industries (CNI) fondée en 1996 et située à Changchun, en Chine, est un fabricant de premier plan de systèmes de diodes à semi-conducteurs et à semi-conducteurs. Nos produits comprennent les systèmes laser vert, laser bleu, laser jaune, laser rouge, laser RGB, laser infrarouge, laser UV, laser monomode longitudinal et laser Q-switch. Les lasers CNI sont caractérisés par des performances élevées, un coût réduit et une excellente qualité de faisceau laser, spécialement conçus pour une utilisation OEM, scientifique, industrielle et pour l'instrumentation. De plus, les lasers CNI sont certifiés ISO-9001, FDA, CE et JQA.

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    trade@cnilaser.com